JGP-560型双室磁控溅射

设备用途：

JGP-560型双室磁控溅射系统用于纳米级单层及多层功能膜、 硬质膜、 金属膜、 半导体膜、 介质膜等新型薄膜材料的制备。可广泛应用于大专院校、 科研院所的薄膜材料科研与小批量制备。

设备组成：

主要由主溅射真空室、 磁控溅射靶、 基片水冷加热台、 进样室、 样品库、 退火炉、 反溅靶、磁力送样机构、 工作气路、 抽气系统、 安装机台、 真空测量及电控系统等部分组成。

技术指标（以下技术指标均可根据客户要求进行改变）：

1、采用单室立式前开门立式结构，换样进样操作方便，不锈钢材料和真空材料。

2、极限真空度：溅射室极限真空度≤5×10-5Pa； 抽速：当一次试验完成后，在真空状态下，关闭分子泵上方的闸板阀（此时分子泵正常工作），对真空室冲入干燥氮气至一个大气压后（前开门处于关闭状态）停止充气，采用旁抽阀门和管路对真空室抽真空，当达到10Pa或者更高时，打开分子泵上方的闸板阀，关闭旁抽阀，100min后，工作真空度可达到：5×10-4Pa； 压升率：停泵关机12小时后真空度≤10Pa； 系统漏率：5×10-7PaL/S； 真空机组采用国产分子泵+国产机械泵抽气系统。

3、磁控靶及电源：3英寸磁控靶3个，其中两个为标准磁场磁控靶，一个为强磁场磁控靶。磁控靶即可直流也可射频；RF电源一台，功率600w，13.56MHz，自动匹配；DC两台，功率500w；当直溅射镀镀制多层膜时，靶与样品之间的距离为40mm～120mm

4、样品台：样品台最 高的加温温度为500℃，程序控温；升温速率、恒温时间可控；

5、膜厚要求：Cu、Al膜的厚度为4～5微米，Ni、聚四氟乙烯膜的厚度在1～2微米时，在2英寸范围内，膜的厚度均匀性在5%以内。

6、附着力要求：薄膜与玻璃片、硅片或者陶瓷基底的附着力能够承受3次胶带拉伸试验，薄膜没有被破坏。

7、样品具有反溅射功能，可对样品进行镀前预清洗。

8、设备配有阳极层离子源，可对样品进行清洗，同时，可在镀膜时，对样品进行辅助沉积。

9、工艺气体：工作气路2路：独立质量流量控制器2路，用于反应气体进气和氩气气路，采用质量流量计；具有混气功能；腔内气压可测可调可控。

10、溅射室烘烤照明：采用红外加热除气方式，烘烤温度：150℃。

11、真空室内有衬板，避免溅射材料直接溅射到溅射室真空壁上。（在后面表格体现）

12、设备具有断水断电连锁保护功能，有防止误操作保护功能。

13、系统采用计算机控制膜制备过程，整个镀膜过程可在电脑界面上操作，程序控制切换靶材；镀膜过程由计算机软件系统控制完成，包括计算机硬件、软件等，可控制靶挡板、样品转动、样品控温等。