CKG-60三靶共溅薄膜制备

设备用途：

CKG-60三靶共溅薄膜制备系统金属和合金薄膜、半导体薄膜、磁性材料薄膜、氧化物和氮化物等电介质薄膜、新型功能薄膜、多层薄膜、多元弥散复合膜的制备。

主要配置及特点：

主要由不锈钢真空室，真空及测量系统，供气及流量控制系统，多样品转台（加热、水冷、多层膜），膜厚仪，磁控靶（RF&DC），射频、直流电源，电气控制系统以及水冷系统等组成。采用磁控溅射方式沉积薄膜，可用于制备半导体薄膜、金属薄膜、磁性材料薄膜，以及氧化物、氮化物薄膜等电介质薄膜。工作方式包括单靶独立溅射沉积、程控轮流分层溅射沉积多层膜、三靶共溅射沉积弥散复合膜等。本系统所制备薄膜的均匀性较好（±5%）。

技术指标：

1）真空系统采用机械泵－涡轮分子泵复合系统，30分钟真空度可达到6×10-4 Pa；

2）经48小时连续烘烤（120℃），磁控溅射室优于8×10-6 Pa；

3）溅射功率：＜3000W；

4）基片加热温度：室温～800℃；

5）基片最 高偏压：－200V；

6）膜厚不均匀性：±5%范围内；

7）靶片直径：76mm；

8）样品直径：76mm。